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MOS場效應(yīng)管內(nèi)阻大小有什么優(yōu)缺點(diǎn)？
MOS場效應(yīng)管內(nèi)阻小的優(yōu)點(diǎn);
1、響應(yīng)速度快。內(nèi)阻小的MOS管響應(yīng)速度快，能夠滿足高速電路的要求。
2、功耗小。內(nèi)阻小的MOS管功耗較小，能夠降低電路的能耗。
3、能夠提供較大的輸出功率。
MOSFET管內(nèi)阻小的缺點(diǎn):
1、抗干擾能力差。內(nèi)阻小的MOS管對外界干擾的抵抗能力較差， 容易受到電磁干擾和噪聲的影響。2、穩(wěn)定性差。內(nèi)阻小的MOS管穩(wěn)定性較差，容易出現(xiàn)電路不穩(wěn)定的情況。
3、容易受到過電壓和過電流的影響，導(dǎo)致?lián)p壞。
4、內(nèi)阻小使得MOS管的輸入電容較大，需要較大的驅(qū)動電流，較高的驅(qū)動電壓。
MOS場效應(yīng)管內(nèi)阻大的優(yōu)點(diǎn);
1、抗干擾能力強(qiáng)。內(nèi)阻大的MOS管對外界干擾的抵抗能力更強(qiáng)，能夠有效地減少電路中的噪聲和干擾。2、穩(wěn)定性好。內(nèi)阻大的MOS管具有更好的穩(wěn)定性，能夠保持電路的穩(wěn)定性和可靠性。
3、能夠承受較高的電壓和電流，適用于高功率應(yīng)用。
MOS場效應(yīng)管內(nèi)阻大的缺點(diǎn)有哪些?
1、響應(yīng)速度慢。內(nèi)阻大的MOS管響應(yīng)速度較慢，不適用于高頻應(yīng)用。
2、功耗大。內(nèi)阻大的MOS管功耗較大，會導(dǎo)致電路的能耗增加。
3、會導(dǎo)致mos管的溫升較高，需要進(jìn)行散熱處理。
4、失真較大。mos管內(nèi)阻大，對信號的失真較大，不適用于需要高保真度的場合。