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BP8522SL 是一款集高性能、高集成度與低待機功耗于一體的開關(guān)電源驅(qū)動芯片，專為全電壓范圍（85~265VAC）輸入的 Buck 和 Buck-Boost 拓撲應用而設計。其卓越的性能和豐富的功能使其在眾多電源解決方案中脫穎而出，尤其適用于小家電輔助電源、物聯(lián)網(wǎng)設備、智能家居以及智能照明等領域。
在 Buck 拓撲應用中，BP8522SL 通過簡潔的電路設計實現(xiàn)了高效的電壓轉(zhuǎn)換。其典型應用電路如圖 2 所示，輸入端連接交流電源后，經(jīng)過內(nèi)部集成的整流橋二極管，將交流電轉(zhuǎn)換為直流電。該芯片內(nèi)置的 550V 高壓 MOSFET 在控制信號的驅(qū)動下，周期性地導通與關(guān)斷，從而在電感 L1 上產(chǎn)生高頻脈沖電壓。電感 L1 與輸出電容 C2 構(gòu)成濾波電路，將高頻脈沖電壓平滑為穩(wěn)定的直流輸出電壓。BP8522SL 的輸出電壓設定為 5V，能夠提供最大 50mA 的輸出電流，滿足小功率設備的供電需求。
對于 Buck-Boost 拓撲，BP8522SL 同樣表現(xiàn)出色。如圖 1 所示，該電路不僅能夠?qū)崿F(xiàn)降壓功能，還能在輸入電壓低于輸出電壓時進行升壓操作。這種拓撲結(jié)構(gòu)使得 BP8522SL 在寬輸入電壓范圍內(nèi)都能穩(wěn)定輸出 5V 電壓，并提供 50mA 的電流。通過合理選擇電感 L1 和電容 C1、C2 的參數(shù)，可以優(yōu)化電路的動態(tài)響應和效率。
BP8522SL 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框架圖（如下圖所示）清晰地展示了其高度集成化的設計特點。芯片內(nèi)部集成了多個關(guān)鍵功能模塊，這些模塊協(xié)同工作，確保了電源轉(zhuǎn)換的高效性和穩(wěn)定性。
BP8522SL 內(nèi)置了一個 800V 的整流橋二極管，能夠直接處理全電壓范圍（85~265VAC）的交流輸入。這種設計不僅簡化了外部電路，還提高了系統(tǒng)的可靠性。同時，芯片還集成了高壓啟動電路，能夠在系統(tǒng)上電后迅速啟動內(nèi)部 VCC 電容充電，確保芯片快速進入工作狀態(tài)。當 VCC 電容電壓達到 11V 時，芯片內(nèi)部控制電路開始工作，而當電壓降低到 5V 時，芯片會進入欠壓保護狀態(tài)，防止因電壓不足導致的不穩(wěn)定運行。
BP8522SL 的自供電電路是其高效運行的核心之一。在正常工作期間，自供電電路會在 MOSFET 關(guān)斷期間通過 BUS 端為內(nèi)部 VCC 電容供電。這種設計不僅避免了外部 VCC 電容的使用，還減少了系統(tǒng)的待機功耗，提高了整體效率。
BP8522SL 內(nèi)部集成了電流采樣電路，無需外置采樣電阻，從而降低了系統(tǒng)成本和體積。電流采樣電路能夠?qū)崟r監(jiān)測通過電感的電流，并在電流達到內(nèi)部設定的限制值時關(guān)閉 MOSFET，防止過流損壞。同時，芯片還通過 VO 引腳采樣輸出電壓，并利用內(nèi)置反饋二極管和電阻分壓網(wǎng)絡將其與內(nèi)部基準電壓進行比較，實現(xiàn)精確的恒壓控制。這種設計確保了輸出電壓的穩(wěn)定性和動態(tài)響應能力。
BP8522SL 提供了豐富的保護功能，包括輸出過載保護（OLP）、過溫保護（OTP）和自動重啟功能。這些保護功能模塊通過實時監(jiān)測芯片的工作狀態(tài)，確保在異常情況下能夠及時關(guān)閉 MOSFET，防止芯片和外圍電路的損壞。例如，當檢測到輸出短路或過載時，芯片會觸發(fā) OLP 并進入自動重啟程序；當芯片結(jié)溫達到 145℃時，過溫保護功能會關(guān)閉 MOSFET，直到溫度下降到安全范圍，芯片才會重新啟動。
BP8522SL 內(nèi)置的振蕩器能夠根據(jù)負載條件自動調(diào)整開關(guān)頻率。在輕載或空載時，開關(guān)頻率降低，從而減少開關(guān)損耗并提高效率；在重載時，開關(guān)頻率升高，確保輸出電壓的穩(wěn)定性和動態(tài)響應。這種頻率自適應控制技術(shù)不僅優(yōu)化了芯片的性能，還降低了電磁干擾（EMI），提高了系統(tǒng)的可靠性。
BP8522SL 采用了 SSOP-6 封裝形式，這種封裝方式不僅體積小巧，還具備良好的散熱性能，適合應用于緊湊型電源設計。以下是 BP8522SL 的管腳封裝圖（如圖 3 所示）及各管腳的功能描述：
BP8522SL 的管腳封裝圖清晰地展示了其管腳布局和連接方式。芯片共有 6 個管腳，每個管腳都有明確的功能定義，確保了電路設計的簡潔性和可靠性。
GND（管腳 1）：輸出地，同時也是內(nèi)置續(xù)流二極管的陽極。該管腳為芯片提供了接地參考點，并確保續(xù)流二極管能夠正常工作。
ICG（管腳 2）：芯片地，同時也是內(nèi)置 MOSFET 的源極和內(nèi)置續(xù)流二極管的陰極。該管腳為芯片的內(nèi)部控制電路提供了接地參考點，并確保 MOSFET 能夠正常導通和關(guān)斷。
NC（管腳 3）：無連接。該管腳在電路中未定義任何功能，建議保持懸空。
VO（管腳 4）：輸出電壓采樣端，同時也是內(nèi)置反饋二極管的陽極。該管腳連接到輸出正端，用于采樣輸出電壓，并通過內(nèi)置反饋二極管和電阻分壓網(wǎng)絡實現(xiàn)恒壓控制。
BUS（管腳 5）：內(nèi)置整流橋二極管的陰極，連接到母線電容的正端。該管腳為高壓啟動電路和自供電電路提供了電源輸入，并確保母線電壓能夠穩(wěn)定地為芯片供電。
L（管腳 6）：內(nèi)置整流橋二極管的陽極，連接到 AC 端。該管腳直接與交流輸入電源相連，通過內(nèi)置整流橋二極管將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，為后續(xù)的電源轉(zhuǎn)換提供基礎。
BP8522SL 內(nèi)置高壓啟動電路和自供電電路，無需外部 VCC 電容。當系統(tǒng)上電后，母線電壓通過 BUS 引腳對內(nèi)部 VCC 電容充電，當電容電壓達到 11V 時，芯片啟動。在正常工作期間，自供電電路在 MOSFET 關(guān)斷期間通過 BUS 端持續(xù)為 VCC 電容供電，確保芯片穩(wěn)定運行。這種設計不僅簡化了電路，還提高了系統(tǒng)的可靠性和效率。
BP8522SL 具備軟啟動功能，能夠在啟動過程中逐步增加輸出電壓，避免因瞬間大電流沖擊導致的電路損壞。軟啟動過程中，開關(guān)頻率隨著輸出電壓的升高而逐漸增加，確保電路平穩(wěn)過渡到正常工作狀態(tài)。
BP8522SL 通過 VO 引腳采樣輸出電壓，并利用內(nèi)置反饋二極管和電阻分壓網(wǎng)絡將其與內(nèi)部基準電壓進行比較。通過這種方式，芯片能夠精確控制輸出電壓，確保其穩(wěn)定在 5V。輸出電壓采樣僅在續(xù)流階段進行，建議設計時保證續(xù)流時間大于 7us，以確保采樣準確。
BP8522SL 采用頻率自適應控制技術(shù)，根據(jù)負載條件自動調(diào)整開關(guān)頻率。在輕載或空載時，開關(guān)頻率降低，從而減少開關(guān)損耗并提高效率；在重載時，開關(guān)頻率升高，確保輸出電壓的穩(wěn)定性和動態(tài)響應。這種自適應控制技術(shù)不僅優(yōu)化了芯片的性能，還降低了電磁干擾（EMI）。
BP8522SL 內(nèi)部集成電流采樣電路，無需外置電流采樣電阻。當開關(guān)周期開始時，MOSFET 導通，漏極電流上升。當電流達到內(nèi)部限制值（100~130mA）時，MOSFET 關(guān)斷，直到下一個開關(guān)周期開始。此外，芯片還具備前沿消隱（Leading Edge Blanking）功能，避免因 MOSFET 開通瞬間的電流尖峰誤觸發(fā)保護機制。
BP8522SL 提供全面的保護功能，包括輸出過載保護（OLP）、過溫保護（OTP）和自動重啟功能。當檢測到輸出短路或過載時，芯片會觸發(fā) OLP 并進入自動重啟程序。如果故障持續(xù)存在，芯片會在 0.5 秒后再次嘗試啟動。此外，當芯片結(jié)溫達到 145℃時，過溫保護功能會關(guān)閉 MOSFET，直到溫度下降到安全范圍，芯片才會重新啟動。這些保護功能確保了 BP8522SL 在各種異常情況下都能安全運行，延長了芯片和外圍電路的使用壽命。
BP8522SL 以其高性能、高集成度和低待機功耗的特點，成為理想的開關(guān)電源驅(qū)動芯片選擇。其在 Buck 和 Buck-Boost 拓撲中的典型應用電路簡單高效，能夠穩(wěn)定輸出 5V 電壓并提供 50mA 的電流。通過高壓啟動與自供電、軟啟動、輸出電壓采樣與控制、頻率自適應控制、電流檢測與保護等功能的協(xié)同作用，BP8522SL 不僅優(yōu)化了電源轉(zhuǎn)換效率，還提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。無論是在小家電輔助電源、物聯(lián)網(wǎng)設備還是智能家居領域，BP8522SL 都能為用戶提供穩(wěn)定、高效的電源解決方案。