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PN8366集成超低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使系統(tǒng)獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的電阻進行調節(jié)。該芯片提供了極為全面的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環(huán)保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
PN8366SSC-R1M產品特性
內置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
內置高壓啟動電路，小于30mW空載損耗（230VAC）
采用準諧振與多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
全電壓輸入范圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補償外部可調
無需額外補償電容
無音頻噪聲
智能保護功能 過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
CS開/短路保護 (CS O/SP）
開環(huán)保護 (OLP)
PN8366SSC-R1M應用領域
開關電源適配器
電池充電器
機頂盒電源.